有别于三星2纳米良率低迷，台积电再传捷报，根据《Tom's Hardware》报道，台积电预计明年下半年开始量产2纳米制程，台积电员工在X平台上指出，团队成功将测试芯片良率提高6%，为客户节省数十亿美元。

▲传台积电2 纳米良率提升。 资料照片

根据台积电员工的说法，团队成功将2纳米制程的良率提高了6%，为客户节省了数十亿美元，但并未透露改善的是SRAM测试芯片，或是逻辑测试芯片的良率。

报道分析，台积电明年1月开始提供2纳米技术的shuttle测试晶圆服务，目前不太可能改善2纳米制造最终实际芯片原型的良率。

而提高SRAM和逻辑测试芯片的良率非常重要，因为可以为客户节省大量成本，从更高的良率中受益。

报道指出，台积电2纳米制程采用GAA纳米电晶体的制程，可大幅降低功耗、提升效能和电晶体密度，尺寸小于3纳米FinFET 电晶体管，能在不影响效能的情况下，改善静电控制和减少漏电，以实现更小高密度 SRAM 位元单元。

反观三星虽然超前切入GAA技术，却传出因德州厂2纳米良率最多20%，良率太差已从德州泰勒(Taylor)厂撤回工作人员。

来源：中时新闻网