9月29日消息，长鑫科技发布公告，拟使用超募资金人民币130亿元投资新建技术研发项目。

同时拟通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（下称“长鑫产品合肥”）提供超募资金人民币50亿元，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。

其中，技术研发项目规划总投资金额达241亿元，建设周期30个月；后道测试基地二期项目规划总投资额为108亿元，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试及模组组装。

长鑫科技表示，构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本，在于坚定不移推进产品与制程工艺迭代升级。面对复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续研发投入，驱动工艺技术代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。

因此，公司拟通过实施超募项目开展技术研发，在保持技术领先性的同时，更快推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品，以增强核心竞争力及抗风险能力。

测试是DRAM生产中不可或缺的关键环节。因其测试专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。

长鑫科技表示，为保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能投入。同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低DRAM芯片测试成本，提升运营效率和测试技术，有利于进一步完善IDM模式、增强整体竞争力。

据了解，长鑫科技科创板IPO募集资金净额为人民币663亿元。公司上市前拟募资金额为295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等。

长鑫科技通过跳代研发加快技术创新，完成了从第一代工艺技术平台到第五代工艺技术平台的量产，以及从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的产品覆盖和代际演进。目前，长鑫科技核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。