随着全球人工智能热潮持续走高，高端高带宽内存也就是HBM的市场需求一路暴涨，中国本土DRAM制造商长鑫存储正加速推进全产品线产能扩张，瞄准传统通用内存市场的供应缺口持续补位。

根据TrendForce与CounterpointResearch联合发布的最新行业研究报告，长鑫存储未来几年将大幅拉升整体DRAM制造产能，其中最受行业关注的规划是，预计在未来一年内新增超过10万片晶圆的月产能，直接把当前约32万片的总月产能提升至42万片以上。

按照当前的扩产节奏顺利推进，到2028年底长鑫存储的DRAM月产能有望进一步跃升至60万片，较当前的产能水平直接增长87.5%，整体规模增速远超全球其他同赛道的存储厂商。

多家研究机构一致认为，眼下三星电子、SK海力士和美光等全球头部存储厂商，都把绝大多数资源倾斜投入到利润更高、下游需求更旺盛的HBM产品线上，原本供给稳定的普通消费级DRAM市场，已经悄然出现了整体供给紧张的局面。

毕竟HBM产品需要把多层DRAM芯片做高精度堆叠，还要搭配极其复杂的先进封装工艺，产能资源占用率极高，这些海外头部大厂现在都在优先保障AI服务器和数据中心客户的HBM订单，自然就挤占了不少通用DRAM的产能配额。

和海外大厂的赛道倾斜策略不同，长鑫存储目前的发展重心仍然放在标准通用DRAM产品领域，通用DRAM的制造难度和技术门槛相对更低，公司可以集中更多资源快速落地产能扩张，重点覆盖受近期存储器短缺影响最明显的消费电子市场。

公开披露的规划数据显示，长鑫存储计划在2027年整体DRAM产能提升31%，2028年再进一步完成87.5%的扩产目标，支撑这一轮大规模产能扩张的核心支点，就是北京新规划建设的大型生产设施。此前已有公开信息显示，该项目正在对接各级政府层面的专项支持，整体建设进程正在明显加快。

多位半导体行业分析人士指出，如果长鑫存储能够按既定计划顺利完成全部扩产目标，它将成长为全球通用DRAM市场中分量越来越重的核心供应力量。

在国际头部存储厂商持续把资源向AI和HBM领域倾斜的大背景下，长鑫存储这轮针对性补位通用内存产能的扩张动作，未来数年将在缓解消费电子行业存储器供应压力、平抑民用存储产品价格波动方面发挥不可替代的关键作用，也会彻底打破此前通用DRAM市场长期被海外厂商垄断定价的旧格局。