欧媒《现代外交》5月25文章，原题：华为发布芯片设计重大突破，中国抵御美国制裁。文章摘编如下：

华为官宣芯片设计取得重大突破，预计2031年，基于该定律的高端芯片晶体管密度有望达到1.4纳米制程的同等水平。充分展示中国构建自主半导体产业体系的坚定决心。

受美国长期高端芯片技术出口限制影响，中国成熟芯片制造水平约7纳米，与国际顶尖水准存在差距，而华为摒弃西方传统研发模式，探索差异化的芯片发展路径。

自2019年遭美国全面技术制裁后，华为突破供应链封锁，2023年推出搭载国产7纳米芯片的机型，其昇腾AI芯片已成为国内替代海外产品的核心选择，获海外行业认可。

业内分析表示，美方技术封锁未能遏制中国芯片产业发展，反而倒逼本土技术创新与产业自主化提速。此次华为的技术突破，不仅加速中国半导体与AI基础设施建设，更推动全球芯片产业转型，改变全球科技与地缘竞争格局。

编译 | 迪巴拉