SK海力士宣布联合闪迪（Sandisk），将在美国加州举办的闪存峰会2026（FMS 2026）期间共同发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF, High Bandwidth Flash）的首个标准规范。

HBF是介于HBM和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与HBM类似的高速数据传输能力，还可基于NAND闪存大幅提升容量。在AI推理普及、数据处理需求激增的背景下，其高带宽与可扩展容量特性优势受到业界关注。

此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约 0.4TB/s至3.0TB/s。

值得关注的是，HBF与处理器之间采用行业标准 UCIe互联，为HBF与GPU、CPU等不同类型的处理器灵活连接奠定了基础。

该规范由全球最大的开放式数据中心技术合作组织 OCP（Open Compute Project）正式发布，成为行业通用开放标准，而非企业私有标准。

SK海力士表示，以此为契机，公司计划加快HBF 在AI存储市场的规模化落地，并加速构建生态体系。目前，HBF联盟已汇聚谷歌与Tenstorrent。未来，公司将继续依托开放合作，不断扩大生态体系，同时提升技术成熟度与市场接受度。

与此同时，SK海力士将在FMS 2026设立展台，首次公开目前开发进展顺利的第十代（V10）375层 4D NAND闪存晶圆和产品。较上一代，其性能功耗比提升2.5倍，特别适用于对性能与能效要求极高的AI基础设施环境（例如数据中心）。公司计划于明年初启动基于此NAND闪存的高性能、大容量企业级固态硬盘（eSSD）量产。